FACULTY

CESTER ANDREA

Professore associato confermato

ING-INF/01 - ELETTRONICA

Address: VIA G. GRADENIGO, 6/B - PADOVA

Phone: 0498277787

Fax: 0498277689

E-mail: andrea.cester@unipd.it

Elettronica digitale (ult. numero di matricola da 0 a 4)
Codice: INM0017605 / Ordinamento: 2011 / Anno Accademico: 2017

Elettronica digitale (ult. numero di matricola da 0 a 4)
Codice: INM0017605 / Ordinamento: 2011 / Anno Accademico: 2017

Elettronica organica e molecolare
Codice: INP3050188 / Ordinamento: 2008 / Anno Accademico: 2017

Elettronica digitale (ult. numero di matricola da 0 a 4)
Codice: INM0017605 / Ordinamento: 2011 / Anno Accademico: 2016

Elettronica digitale (ult. numero di matricola da 0 a 4)
Codice: INM0017605 / Ordinamento: 2011 / Anno Accademico: 2016

Elettronica organica e molecolare
Codice: INP3050188 / Ordinamento: 2008 / Anno Accademico: 2016

Elettronica digitale (ult. numero di matricola da 0 a 4)
Codice: INM0017605 / Ordinamento: 2011 / Anno Accademico: 2015

Elettronica digitale (ult. numero di matricola da 0 a 4)
Codice: INM0017605 / Ordinamento: 2011 / Anno Accademico: 2015

Elettronica organica e molecolare
Codice: INP3050188 / Ordinamento: 2008 / Anno Accademico: 2015

Elettronica digitale (ult. numero di matricola da 0 a 4)
Codice: INM0017605 / Ordinamento: 2011 / Anno Accademico: 2014

Elettronica digitale (ult. numero di matricola da 0 a 4)
Codice: INM0017605 / Ordinamento: 2011 / Anno Accademico: 2014

Elettronica organica e molecolare
Codice: INP3050188 / Ordinamento: 2008 / Anno Accademico: 2014

Elettronica digitale (ult. numero di matricola da 0 a 4)
Codice: INM0017605 / Ordinamento: 2011 / Anno Accademico: 2013

Elettronica digitale (ult. numero di matricola da 0 a 4)
Codice: INM0017605 / Ordinamento: 2011 / Anno Accademico: 2013

Elettronica organica e molecolare
Codice: INP3050188 / Ordinamento: 2008 / Anno Accademico: 2013

Elettronica organica e molecolare
Codice: INN1030316 / Ordinamento: 2008 / Anno Accademico: 2012

Elettronica organica e molecolare
Codice: INN1030316 / Ordinamento: 2008 / Anno Accademico: 2011

Nanoelettronica
Codice: INL1000639 / Ordinamento: 2008 / Anno Accademico: 2010

Circuiti integrati digitali 1
Codice: IN02112346 / Ordinamento: 2001 / Anno Accademico: 2009

Circuiti integrati digitali 1
Codice: IN01112346 / Ordinamento: 2001 / Anno Accademico: 2009

Nanoelettronica
Codice: INL1000639 / Ordinamento: 2008 / Anno Accademico: 2009

* Maggio 1998:
Laureato in INGEGNERIA ELETTRONICA con voto 110/110 e lode, presso l’Università degli Studi di Padova, discutendo una tesi intitolata: “Analisi della corrente di eccesso indotta da stress elettrico o radiazione ionizzante su MOS con ossido ultrasottile”. La tesi di laurea è stata svolta in collaborazione con ST Microelectronics, Agrate Brianza.

* Novembre 1998:
Abilitato alla professione di Ingegnere presso l'Università degli Studi di Padova nella seconda sessione dell'anno 1998.

* Periodo novembre 1998-ottonbre 2001:
Dottorato di ricerca in Ingegneria Elettronica e delle Telecomunicazioni (XIV ciclo), presso l'Università di Padova. L'oggetto principale dell'attività di ricerca riguarda lo studio dell'affidabilità degli ossidi ultrasottili (2-6 nm) realizzati con diverse tecniche e impiegati nei dispositivi MOSFET per applicazioni ULSI. L’attività di ricerca è stata sviluppata in collaborazione con diversi istituti di ricerca, nazionali ed internazionali, quali: ST Microelectronics (Agrate Brianza, MI), CNR-ISOF (Bologna), Laboratori Nazionali di Fisica Nucleare di Legnaro – INFN (Legnaro, PD), “Istitute National Politecnique de Grenoble, INPG” (Grenoble, FRANCIA), Universitat Autònoma de Barcelona, (Bellaterra, Spagna), Saifun Semiconductors, (Netanya, Israele).

* Febbraio 2002:
Conseguito il titolo di dottore di Ricerca in Ingegneria Elettronica e delle Telecomunicazioni, discutendo una tesi dal titolo “Electrical properties of MOS devices with ultra thin oxides after electrical and radiation stresses”.

* Marzo 2002:
Assegno di ricerca biennale rinnovabile dell’Università di Padova dal titolo: “Limiti all’integrazione di tecnologie microelettroniche CMOS”, Macroarea 5 – Ingegneria, Area Scientifico Disciplinare 11 – Ingegneria dell’informazione.

* 20 Dicembre 2002:
Prende servizio come Ricercatore Universitario (SSD ING-INF/01) presso la Facoltà di Ingegneria dell’Università di Padova, ove afferisce al Dipartimento di Ingegneria dell’Informazione

* 1 Dicembre 2014
Prende servizio come Professore Associato (SSD ING-INF/01) presso il Dipartimento di Ingegneria dell'Informazione

Dal dicembre 2002 la sua attività di ricerca è focalizzata sulla caratterizzazione, modellizzazione e studio di affidabilità di svariati tipi di dispositivi elettronici: dalle tecnologie CMOS sub-micrometriche in silicio, ai semiconduttori III-V, alle memorie non volatili convenzionali e avanzate, ai semiconduttori organici.
Nel 2008, avvia da zero una nuova linea di ricerca e un nuovo laboratorio presso il gruppo di microelettronica dell’Università di Padova, completamente finalizzati allo studio dell’affidabilità dei dispositivi elettronici, optoelettronici e fotovoltaici su semiconduttore organico. Questa attività ha inizio mediante un progetto di ricerca finanziato dall’Ateneo di Padova (CPDA083941/08 , “Caratterizzazione e affidabilità di dispositivi elettronici organici per applicazioni a basso costo e basso”, resp. A. Cester), e continua tutt’oggi all’interno di vari progetti tra i quali uno finanziato dalla Regione Veneto (Progetto Della Regione Veneto Progetto SMUPR n. 4148 “Polo di Ricerca nel settore fotovoltaico”).

Pubblicazioni più rilevanti:
(Lista completa: www.dei.inipd.it\~cester)

N. Wrachien, A. Cester, B. Daniele, J. Kovac, J. Jakabovic, M. Weis, D. Donoval, and G. Meneghesso "Improved Tolerance against UV and Alpha Irradiation of Encapsulated Organic TFTs", IEEE - Transaction on Nuclear Science, Vol. 59, p. 2979 - 2986, Dec 2012

N. Wrachien, A Cester, D. Bari, J. Kovac, J. Jakabovic, D. Donoval, G. Meneghesso "Visible Light and Low-Energy UV Effects on Organic Thin-Film Transistors ", IEEE Transaction on Electron Devices, Vol. 59, p. 1501-1509, May 2012

D. Bari, A Cester, N. Wrachien, L. Ciammaruchi, T.M. Brown, A. Reale, A. Di Carlo, G. Meneghesso "Reliability Study of Ruthenium-Based Dye-Sensitized Solar Cells (DSCs) ", IEEE - Journal of Photovoltaics, Vol. 2, Issue 1, p. 27 - 34, Jan. 2012

N. Wrachien, A Cester, D. Bari, J. Kovac, J. Jakabovic, D. Donoval, and G. Meneghesso "Near-UV Irradiation Effects on Pentacene Based Organic Thin Film Transistors", IEEE - Transaction on Nuclear Science, Vol. 58, p. 2911 - 2917, Dec. 2011

N. Wrachien, A. Cester, Y.Q. Wu and P.D. Ye, E. Zanoni, G. Meneghesso "Effects of positive and negative stress on III-V MOSFETs with Al2O3 gate dielectric", IEEE - Electron Device Letters, Vol.32, Issue 4, Pages 488-490, April 2011

C. Gerardi, A. Cester, S. Lombardo, R. Portoghese, N. Wrachien "Nanocrystal Memories: An Evolutionary Approach to Flash Memory Scaling and a Class of Radiation-Tolerant Devices", (book chapter): in "Radiation Effects in Semiconductors, , Pages 103-147, Editor: K. Iniewski, CMOS Emerging Technologies Inc., Vancouver, British Columbia, August 19, 2010

A. Pinato, A. Cester, M. Meneghini, N. Wrachien, A. Tazzoli, S. Xia, V. Adamovich, M. S. Weaver, J.J. Brown, E. Zanoni, and G. Meneghesso, "Impact of Trapped Charge and Interface Defects on the Degradation of the Optical and Electrical Characteristics in NPD/Alq3 OLEDs", IEEE- Transaction on Electron Devices, Vol. 57, Issue 1, Pages: 178 - 187, Jan. 2010

A. Cester, N. Wrachien, J. Schwank, G. Vizkelethy, R. Portoghese, and C. Gerardi, "Modeling of Heavy Ion Induced Charge Loss Mechanisms in Nanocrystal Memory Cell", IEEE - Transactions on Nuclear Science, Vol. 55 Issue 6, Pages 2895 - 2903, Dec. 2008

N. Wrachien, A. Cester, R. Portoghese, and C. Gerardi, "Investigation of Proton and X-Ray Irradiation Effects on Nanocrystal and Floating Gate Memory Cell Arrays", IEEE - Transactions on Nuclear Science, Vol. 55 Issue 6, Pages 3000 - 3008, 2008

A. Cester, N. Wrachien, A. Gasperin, A. Paccagnella, R. Portoghese, C. Gerardi, “Radiation Tolerance of Nanocrystal-Based Flash Memory Arrays Against Heavy Ion Irradiation”, IEEE - Transactions on Nuclear Science, Vol. 54 Issue 6, Pages 2196 - 2203, 2007

A. Cester, A. Gasperin, N. Wrachien, A. Paccagnella, V. Ancarani, and C. Gerardi, "Impact of Heavy-Ion Strikes on Nanocrystal Non Volatile Memory Cell Arrays", IEEE - Transactions on Nuclear Science, Vol. 53 Issue 6, Pages 3195-3202, 2006

A. Cester, S. Gerardin A. Paccagnella, E. Simoen, and C. Claeys, "Electrical Stresses on Ultra-Thin Gate Oxide SOI MOSFETs After Irradiation", IEEE - Transactions on Nuclear Science, Vol. 52, Issue 6, Pages 2252 – 2258, Dec. 2005

A. Cester, S. Gerardin, A. Paccagnella, J.R. Schwank, G. Vizkelethy, A. Candelori, G. Ghidini, "Drain Current Decrease in MOSFETs After Heavy Ion Irradiation", IEEE - Transactions on Nuclear Science,Vol. 51, Issue 6, Pages 3150-3157, Dec. 2004

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