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Corso di Microelettronica

(a.a. 2004/2005)

Benvenuto nel sito del corso di Microelettronica. Per avere informazioni sul corso, segui i link qui sotto:

Informazioni Generali
Modalità d'esame e risultati compiti
Programma
Software

Se hai domande specifiche relative al corso, puoi contattare i docenti via posta elettronica:

oppure direttamente durante gli orari di ricevimento (o previo appuntamento telefonico).

Informazioni Generali

Il corso di Microelettronica viene offerto al secondo trimestre del quinto anno dei corsi di Laurea in Ingengneria Elettronica, Ingengeria Informatica e Ingegneria delle Telecomunicazioni. Lo scopo del corso è approfondire gli aspetti di fisica dei dispositivi, di tecnologia di fabbricazione e di metodologie di progettazione dei circuiti integrati ad alta integrazione (Very Large Scale Integration - VLSI).


Testo di riferimento
R. S. Muller, T. I. Kamins, "Dispositivi elettronici nei circuiti integrati", Bollati Boringhieri, 1993
G. Meneghesso, "Esercitazioni di Microelettronica", Ed. Progetto, 2002

Testi e materiale di supporto
 R. Gaddi: lucidi presentazione su mems (parte 1, parte 2)
A. Visconti: lucidi presentazione sulle memorie flash-NAND
Errata Corrige dell'eserciziario
Compiti anni precendenti: Aprile 2003, Primo compitino 02-03, Secondo compitino 02-03.
G. Meneghesso, materiale sulle tecnolgie CMOS: CMOS-Process.pdf, diffusione-2000.pdf, Imp-ionica-2000.pdf, ossidazione-2000.pdf, tecnologie-2000.pdf (ogni nome è un link al file corrispondente)
L. Vendrame, lucidi seminario sulla caratterizzazione elettrica di tecnologie VLSI (seminario ST del 14/3/03):

  • versione compatta (2 lucidi per pagina)
  • versione originale (1 lucido per pagina)
    E. Zanoni: lucidi sulle tecnologie (fare click)
    A. Visconti: lucidi sulle memorie flash (fare click)
    A. Visconti: integrazione dei lucidi sulle memorie flash (fare click)
    Jan M. Rabaey, "Digital Integrated Circuits - A Design Perspective" Prentice Hall International, 2nd Edition
    D. A. Pucknell, K. Eshraghian, "Basic VLSI design", Prentice Hall, 1994
    M. Shur, "Introduction to Electronics Devices", John Wiley, 1996
    dispensa introduttiva sui componenti VLSI (Ing. Aldo Mozzi - Medico S.p.A.)
    Documento in formato pdf
    dispensa introduttiva all'uso del simulatore circuitale SPICE
    Documento in formato pdf

    Modalità d'esame e risultati compiti.

    Per superare l'esame è necessario sostenere due prove:

    Compitini

    In alternativa alla prova scritta ed orale, verranno proposti due esami scritti ("compitini") uno circa a metà ed uno alla fine del corso. Per il supermento dell'esame è necessario ottenre la piena sufficienza in entrambe le prove. Sarà però proposta una prova di recupero per chi avesse uno dei due comptini insufficiente (la possibilità di sostenere compitini di recupero va verificata con il doecente)

    Bacheche ellettroniche

    Per poter sostenere i comptini o una qualsiasi prova (sia di teoria o di esercizi) è necessario iscriversi nella lista corrispondente sulle bacheche eleltroniche, pena il rischio di non poter sostenere la prova. Similmente chi decida di non presentarsi alla prova, dopo essersi iscritto, deve cancellarsi dalla lista, pena l'esclusione da appelli successivi. Tutte queste operazioni vanno seguite prima della chiusura della lista, che avviene di norma qualche giorno prima della prova.

    Registrazione voto

    Una volta ottenuto un voto finale sufficiente, sarà possibile registrare il voto finale in occasione degli appelli orali, entro un anno solare dalla data dell'ultima prova sostenuta.

    Programma del corso

    Cenni di fisica dei semiconduttori. Contatti metallo/semiconduttore: struttura a bande e caratteristica corrente/tensione; contatti non rettificanti (ohmici). Giunzioni pn: comportamento statico, breakdown della giunzione, correnti in diretta, caratteristica corrente-tensione e comportamento dinamico. Transistor a effetto di campo a giunzione (JFET). Il sistema metallo/ossido/semiconduttore: struttura a bande, proprieta' elettriche e carica all'interfaccia e nell'ossido. Condensatori MOS. Il transistor MOS: struttura, caratteristiche statiche e dinamiche. Non idelaita' del dispositivo MOSFET (correnti di sottosoglia, effetti di canale corto e stretto).

    Tecnologia di fabbricazione di circuiti integrati CMOS. Regole di progettazione (layout). Diagrammi semplificati (stick diagrams). Progetto e simulazione di blocchi circuitali fondamentali con SPICE.

    Seminari su: memorie integrate; tecnologie e stili di progettazione CMOS.


    Software

    Sys. Operativo Windows

    The Semiconductor Applets Service collezione di Java Applets per la simulazione interattiva di una serie di esperienze di Microelettronica, piùun elenco di link interessanti. Prova ad esempio la numero 7 sulla fabbricazione di n nMOSFET
    MicroWind, programma sviluppato all'INSA di Tolosa per la creazione di layout semplificati, visualizzazione in 2D e 3D dei passi di processo per la fabbricazione di un circuito CMOS, e simulazione delle caratteristiche I-V di nMOSFET e pMOSFET
    Versione Win95/98/NT(1113K)
    SPICE, programma per la simulazione circuitale a livello di dispositivo. Il link seguente contiene un indice delle principali versioni gratuite di SPICE.
    lasi Home Page del layout editor LASI per PC DOS
    lasi Home Page del layout editor LASI per PC Windows

    Sys. Operativo Linux

    Magic link alla Home Page del layout editor Magic
    University of Idaho link page elenco di link relativi alla progettazione di circuiti integrati della University of Idaho