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Argomenti delle lezioni
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Introduzione: |
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Presentazione del corso: argomenti trattati e modalità di esame. Richiami di teoria delle reti, teorema di Thevenin, Norton, uso dei generatori controllati. Convenzioni sulle notazioni. Classificazione dei segnali elettronici. Concetto di amplificazione e caratteristiche generali degli amplificatori, modelli equivalenti. Concetto di risposta in frequenza.
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Capitolo 1 |
Paragrafi: 1-7 |
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Capitolo 6 |
Paragrafi: 1-2 |
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 Richiami sulle Funzioni di Trasferimento (803 Kb) (Agg: 14-03-2006)
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Amplificatori operazionali |
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Introduzione agli amplificatori operazionali. Caratteristiche degli amplificatori operazionali ideali. Amplificatore invertente, non invertente, inseguitore, differenziale. Amplificatore da strumentazione. Circuiti elementari a risposta dipendente dalla frequenza: passa-basso, passa-alto, derivatore, integratore. Esempio di non idealità degli amplificatori operazionali reali: effetto del guadagno finito e della larghezza di banda limitata sulla configurazione non invertente. Trigger di Schmitt (facoltativo).
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Capitolo 7 |
Paragrafi: 1-3, 4.1, 4.2, 5.1, 5.2 |
Presentazione:
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| Operazionali (2 slide/pagina) (279 Kb) (Agg: 14-03-2006)
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Fisica dei semiconduttori |
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Modello a bande di energia del silicio: bande di valenza e di conduzione. Differenze tra isolanti, semiconduttori e conduttori. Modello del legame covalente. Semiconduttori intrinseci. Calcolo della conducibilità (mediante il calcolo della corrente di deriva). Drogaggio dei semiconduttori di tipo n e di tipo p: calcolo delle concentrazioni dei maggioritari e dei minoritari. Corrente di diffusione.
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Capitolo 2 |
Paragrafi: 1-11 |
Presentazione:
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| Semiconduttori (2 slide/pagina) (697 Kb) (Agg: 14-03-2006)
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Giunzione PN: diodi |
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Generalità sulla giunzione p-n. Analisi della giunzione p-n: trattazione semplificata. Trattazione estesa: Calcolo del campo elettrico e del potenziale di contatto. Giunzione p-n polarizzata direttamente: equazione del diodo. Polarizzazione inversa: tensione di breakdown. Descrizione qualitativa dell'andamento della concentrazione dei minoritari (effetti capacitivi). Caratteristica ideale e reale del diodo ed esempi di utilizzo. Modelli lineari a tratti del diodo. Analisi di circuiti con diodi: illustrazione del metodo tramite esempi.
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Capitolo 3 |
Paragrafi: 1-8, 10-12, 19 |
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Capitolo 7 |
Paragrafi: 1.3 |
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| Esempio giunzione polarizzata (223 Kb) (Agg: 14-03-2006)
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Transistor bipolari a giunzione BJT |
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Transistor bipolari a giunzione: generalità e trattazione intuitiva. Analisi dettagliata delle correnti di base, collettore e emettitore in zona attiva diretta. Analisi delle zone di funzionamento: interdizione, saturazione, zona attiva diretta. Caratteristiche di uscita ad emettitore comune. Effetto Early: modulazione della larghezza della base e modifica delle equazioni in zona attiva diretta.
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Capitolo 5 |
Paragrafi: 1-3, 6-10 |
Presentazione:
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| Bjt (2 slide/pagina) (379 Kb) (Agg: 14-03-2006)
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Transistor ad effetto di campo (MOSFET) |
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Principio di funzionamento del transistor ad effetto di campo MOSFET: trattazione intuitiva. Analisi dettagliata: corrente di drain nel funzionamento in zona lineare ed in saturazione. Modulazione di lunghezza di canale. Caratteristiche di uscita e transcaratteristica.
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Capitolo 4 |
Paragrafi: 1-4, 8-9 |
Presentazione:
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| Mosfet (2 slide/pagina) (365 Kb) (Agg: 14-03-2006)
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Linearizzazione e polarizzazione |
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Linearità ai piccoli segnali e amplificazione: reti lineari, reti non lineari. Metodi di analisi delle reti non lineari: analisi ai piccoli segnali. Modelli dei dispositivi ai grandi segnali e in continua: diodi, BJT e MOS. Circuito di polarizzazione con quattro resistenze. Effetto di stabilizzazione del punto di lavoro operato dalla resistenza di emettitore. Criteri sulla scelta del punto di lavoro: considerazioni su massima escursione del segnale (distorsione), potenza dissipata, guadagno ai piccoli segnali. Condensatori di by-pass e disaccoppiamento. Uso dei generatori di corrente per la polarizzazione nei circuiti integrati. Analisi degli specchi di corrente: versione base e con guadagno. Resistenza di uscita.
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Capitolo 4 |
Paragrafi: 10.1-3 |
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Capitolo 5 |
Paragrafi: 12-13 |
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Capitolo 6 |
Paragrafi: 3-4 |
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Capitolo 8 |
Paragrafi: 1-5, 7-8 |
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Amplificatori a singolo stadio |
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Modelli linearizzati di transistori bipolari e ad effetto di campo validi ai piccoli segnali ed in bassa frequenza. Studio dettagliato dell'amplificatore ad emettitore comune e a source comune. Studio dettagliato dell'amplificatore a collettore comune e a drain comune. Studio dettagliato dell'amplificatore a base comune e a gate comune.
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Capitolo 8 |
Paragrafi: 8.6, 8.9-11 |
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Capitolo 9 |
Paragrafi: 1-7 |
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Amplificatori multistadio |
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Facoltativo:
Metodo di studio per il calcolo del guadagno e delle resistenze d'ingresso e di uscita di amplificatori multistadio accoppiati in continua ed in alternata.
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| Amplificatore multistadio (1) (132 Kb) (Agg: 14-03-2006)
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