FACULTY

MENEGHESSO GAUDENZIO

Professore ordinario

ING-INF/01 - ELETTRONICA

Address: VIA G. GRADENIGO, 6/B - PADOVA

Phone: 0498277653

Fax: 0498277689

E-mail: gaudenzio.meneghesso@unipd.it

Office hours: Lunedi' 14:00 - 16:00 Luogo: DIPARTIMENTO DI INGEGNERIA DELL'INFORMAZIONE, 1 Piano, stanza 117.
Note: Prendere appuntamento via e-mail: gaudenzio.meneghesso@unipd.it

Elettronica (ult. numero di matricola da 0 a 4)
Codice: IN03102536 / Ordinamento: 2011 / Anno Accademico: 2017

Dispositivi optoelettronici e fotovoltaici
Codice: INN1030339 / Ordinamento: 2008 / Anno Accademico: 2015

Elettronica (ult. numero di matricola da 0 a 4)
Codice: IN03102536 / Ordinamento: 2011 / Anno Accademico: 2015

Microelettronica
Codice: INN1028641 / Ordinamento: 2008 / Anno Accademico: 2015

Elettronica (ult. numero di matricola da 0 a 4)
Codice: IN03102536 / Ordinamento: 2011 / Anno Accademico: 2014

Microelettronica
Codice: INN1028641 / Ordinamento: 2008 / Anno Accademico: 2014

Elettronica (ult. numero di matricola da 0 a 4)
Codice: IN03102536 / Ordinamento: 2011 / Anno Accademico: 2013

Microelettronica
Codice: INN1028641 / Ordinamento: 2008 / Anno Accademico: 2013

Elettronica (ult. numero di matricola da 0 a 4)
Codice: IN03102536 / Ordinamento: 2008 / Anno Accademico: 2012

Microelettronica
Codice: INN1028641 / Ordinamento: 2008 / Anno Accademico: 2012

Elettronica (ult. numero di matricola da 0 a 4)
Codice: IN03102536 / Ordinamento: 2008 / Anno Accademico: 2011

Microelettronica
Codice: INN1028641 / Ordinamento: 2008 / Anno Accademico: 2011

Microelettronica 1
Codice: IN01122625 / Ordinamento: 2008 / Anno Accademico: 2010

Microelettronica 1
Codice: IN01122625 / Ordinamento: 2008 / Anno Accademico: 2009

Nato a Padova il 3 Marzo 1967
1992 Laureato in Ingegneria Elettronica a pieni voti (110/110)
1993 Premio SIP per tesi di Laurea discussa presso l'Università di Padova nell’AA 91-92
1996/7 Incarico di collaborazione nell’ambito del progetto Europeo SMT: “PROPHECY”
1997 Ha conseguito il Titolo di dottore di ricerca in Ingegneria Elettronica e delle Tlc.
1998 Ricercatore del SSD K01X (ora ING-INF/01) presso l’Università di Padova
2002 Professore Associato SSD ING-INF/01 presso Univ. Padova
2011 Professore Straordinario SSD ING-INF/01 presso Univ. Padova
2013 Professore Ordinario SSD ING-INF/01 presso Univ. Padova

Dal 1992 ad oggi svolge attività di ricerca sulle seguenti tematiche:
a) Dispositivi elettronici ed optoelettronici su semiconduttori composti e organici
b) Dispositivi Micro Elettro Meccanici (MEMS)
c) Circuiti di protezione da scariche elettrostatiche per circuiti integrati
d) Dispositivi Fotovoltaici
Responsabile per il DEI di tre progetti STREP della Comunità Europea: “HYPHEN, “AL-IN-WON” “HIPOSWITCH2 Responsabile e coordinatore scientifico di numerosi contratti e/o progetti di ricerca con prestigiose Aziende: Nippon Telegraph and Telephony (NTT): Austria Mikro Sisteme (Graz - Austria), Matsushita (Panasonic, Giappone), Universal Display Corp. USA, STMicroelectronics (Milano), Infineon (Austria). Responsabile di Progetti finanziati Dall’Ateneo di Padova e dal MIUR (PRIN).

I risultati delle attività di ricerca, iniziate nel 1992, sono stati presentati/pubblicati (o in corso di pubblicazione/presentazione) in 560 articoli di cui: 195 su riviste internazionali con referee e 365 a conferenze internazionali con referee (tra cui: 70 Invited Papers e 8 “Best Paper Award”). E’ inoltre coautore di 3 capitolo di libro. Infine Gaudenzio Meneghesso è Coautore di 4 brevetti.
Grazie ai risultati ottenuti e alla sua attività scientifica, è stato nominato IEEE Fellow con la seguente citazione: “for contributions to the reliability physics of compound semiconductors devices”.

Dal 2003 ad oggi Responsabile scientifico (Tutor) di 15 tesi di Dottorato di Ricerca relativamente alle tematiche di Ingegneria dell'Informazione

E’ Revisore di riviste internazionali: IEEE Transactions on Electron Devices, IEEE Transaction on Device and Material Reliability, IEEE Electron Device Letters, IEE Electronics Letters, Semiconductor Science and Technology (IOP) Solid State Electronics, Applied Physics Letters, Journal of Applied Physics, Microelectronics Reliability (Elsevier) Attualmente è Associate Editor della IEEE Electron Device Letters per la tematica “semiconduttori composti”. Fa parte della IEEE Electron Device Society ADCOM dal 2010, come membro del comitato “Compound Semic. Devices”
E dal 2012 membro anche del comitato VLSI.

E’ stato General Chair di 5 conferenze internazionali (WOCSDICE 2007, HETECH 2008, ESREF 2012, WOCSEMMAD 2013), ed è incaricato come General Chair di altre due conferenze: TWHM 2013 (in Giappone) , e ESSDERC/ESSCIRC 2014 (a Venezia)

Ha contribuito diversi anni alle due importanti conferenze della IEEE:
IEEE International Electron Device Meeting (IEDM) che rappresenta la più prestigiosa conferenza mondiale sui dispositivi elettronici: Membro del comitato “Quantum Electronics and Compound Semic. devices” nel 2003; Chair del Comitato Quantum Power and Compound Semic. devices nel 2004 e nel 2005 European Arrangement Chair (nell’ executive committee) nel 2006 e 2007

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Lista delle pubblicazioni maggiormente citate (al 30 Giugno 2013):

Reliability of GaN high-electron-mobility transistors: state of the art and perspectives
G Meneghesso et al.
Device and Materials Reliability, IEEE Trans. on 8 (2), 332-343, 2008
citato da 177

Surface-related drain current dispersion effects in AlGaN-GaN HEMTs
G Meneghesso et al.
Electron Devices, IEEE Trans. on 51 (10), 1554-1561, 2004
citato da 158

On-state and off-state breakdown in GaInAs/InP composite-channel HEMT's with variable GaInAs channel thickness
G Meneghesso et al.
Electron Devices, IEEE Trans. on 46 (1), 2-9, 1999
citato da 77

A review on the reliability of GaN-based LEDs
M Meneghini, LR Trevisanello, G Meneghesso, E Zanoni
Device and Materials Reliability, IEEE Trans. on 8 (2), 323-331, 2008
citato da 75

Analysis of a high-power-factor electronic ballast for high brightness light emitting diodes
G Spiazzi, S Buso, G Meneghesso
Power Electronics Specialists Conference, 2005. PESC'05. IEEE 36th, 1494-1499,2005
citato da 70

Current collapse and high-electric-field reliability of unpassivated GaN/AlGaN/GaN HEMTs
G Meneghesso, et al
Electron Devices, IEEE Trans. on 53 (12), 2932-2941, 2006
citato da 68

Accelerated life test of high brightness light emitting diodes
L Trevisanello, M Meneghini, G Mura, M Vanzi, M Pavesi, G Meneghesso, E Zanoni
Device and Materials Reliability, IEEE Trans. on 8 (2), 304-311, 2008
citato da 60

30-nm two-step recess gate InP-based InAlAs/InGaAs HEMTs
T Suemitsu, H Yokoyama, T Ishii, T Enoki, G Meneghesso, E Zanoni
Electron Devices, IEEE Trans. on 49 (10), 1694-1700, 2002
citato da 60

Influence of short-term low current dc aging on the electrical and optical properties of InGaN blue light-emitting diodes
F Rossi, M Pavesi, M Meneghini, G Salviati, M Manfredi, G Meneghesso, et al.
Journal of applied physics 99 (5), 053104-053104-7, 2006
citato da 59

Trapped charge modulation: a new cause of instability in AlGaAs/InGaAs pseudomorphic HEMT's
G Meneghesso et al.
Electron Device Letters, IEEE 17 (5), 232-234, 1996
citato da 58

A review on the physical mechanisms that limit the reliability of GaN-based LEDs
M Meneghini, A Tazzoli, G Mura, G Meneghesso, E Zanoni
Electron Devices, IEEE Trans. on 57 (1), 108-118, 2010
citato da 56

Investigation of high-electric-field degradation effects in AlGaN/GaN HEMTs
M Faqir, G Verzellesi, G Meneghesso, et al.
Electron Devices, IEEE Trans. on 55 (7), 1592-1602, 2008
citato da 55


Localized damage in AlGaN/GaN HEMTs induced by reverse-bias testing
E Zanoni, F Danesin, M Meneghini, A Cetronio, C Lanzieri, M Peroni, G Meneghesso
Electron Device Letters, IEEE 30 (5), 427-429 52 2009
citato da 52

Performance degradation of high-brightness light emitting diodes under DC and pulsed bias
S Buso, G Spiazzi, M Meneghini, G Meneghesso
Device and Materials Reliability, IEEE Trans. on 8 (2), 312-322, 2008
citato da 50

Systematic characterization of Cl< sub> 2 reactive ion etching for improved ohmics in AlGaN/GaN HEMTs
D Buttari, A Chini, G Meneghesso, et al.
Electron Device Letters, IEEE 23 (2), 76-78, 2002
citato da 49

Low-frequency noise sources in as-prepared and aged GaN-based light-emitting diodes
S Bychikhin, D Pogany, LKJ Vandamme, G Meneghesso, E Zanoni
Journal of applied physics 97 (12), 123714-123714-7, 2005
citato da 47

Evidence of interface trap creation by hot‐electrons in AlGaAs/GaAs ....
G Meneghesso, et al.
Applied physics letters 69 (10), 1411-1413, 1996
citato da 43

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