Nato a Padova il 3 Marzo 1967
1992 Laureato in Ingegneria Elettronica a pieni voti (110/110)
1993 Premio SIP per tesi di Laurea discussa presso l'Università di Padova nell’AA 91-92
1996/7 Incarico di collaborazione nell’ambito del progetto Europeo SMT: “PROPHECY”
1997 Ha conseguito il Titolo di dottore di ricerca in Ingegneria Elettronica e delle Tlc.
1998 Ricercatore del SSD K01X (ora ING-INF/01) presso l’Università di Padova
2002 Professore Associato SSD ING-INF/01 presso Univ. Padova
2011 Professore Straordinario SSD ING-INF/01 presso Univ. Padova
2013 Professore Ordinario SSD ING-INF/01 presso Univ. Padova
2013 IEEE Fellow classe 2013 con la citazione: "for contributions to the reliability physics of compound semiconductors devices.

Dal 1992 ad oggi svolge attività di ricerca nell’ambito dello studioaffidabilistico e caratterizzazione
Di Dispositivi elettronici ed optoelettronici per la microelettronica (in particolare su dispositivi and ampio energy gap, quali Gallium Ntride e Siclicon carbide).

COORDINAMENTO DI PROGETTI DI RICERCA:
Gaudenzio Meneghesso dal 1999 ad oggi è stato responsabile di numerosi (32) progetti e contratti di ricerca che hanno accumulato un Finanziamento complessivo di oltre un sei milioni di Euro. Tra i progetti più rilevanti:

• E’ attualmente il coordinatore di un progetto Europeo (H2020): InRel-NPower, Innovative Reliable Nitride based Power Devices and Applications H2020-NMBP-2016-2017/H2020-NMBP-2016-two-stage Grant Agreement No. 720527, Total Funding: 7.19M Euro, http://www.inrel-npower.eu/
• E stato Responsabile per il DEI di tre progetti STREP della Comunità Europea: “HYPHEN, “AL-IN-WON” “HIPOSWITCH2
• E stato responsabile e coordinatore scientifico di numerosi contratti e/o progetti di ricerca con prestigiose Aziende: Nippon Telegraph and Telephony (NTT): Austria Mikro Sisteme (Graz - Austria), Matsushita (Panasonic, Giappone), Universal Display Corp. USA, STMicroelectronics (Milano), Infineon (Austria). Responsabile di Progetti finanziati Dall’Ateneo di Padova e dal MIUR (PRIN).

PUBBLICAZIONI:
I risultati delle attività di ricerca, iniziate nel 1992, sono stati presentati/pubblicati (o in corso di pubblicazione/presentazione) in più di 800 articoli di cui: più di 300 su riviste internazionali con referee e più di 500 a conferenze internazionali con referee (tra cui: più di 100 Invited Papers e 12 “Best Paper Award”). E’ inoltre coautore di 7 capitolo di libro. Infine Gaudenzio Meneghesso è Coautore di 4 brevetti. Dal 2003 ad oggi Responsabile scientifico (Tutor) di 21 tesi di Dottorato di Ricerca relativamente alle tematiche di Ingegneria dell'Informazione.

INDICI BIBLIOMETRICI (Aggiornato ad Aprile 2018)
Scopus:
Documenti: 504
Tot. Citations: 6519
h-index: 40

Google Scholar:
Documenti: 663, Tot.
Citations 9000,
h-index: 45

E’ Revisore di numerose riviste internazionali

E’ stato General Chair di 5 conferenze internazionali (WOCSDICE 2007, HETECH 2008, ESREF 2012, WOCSEMMAD 2013), TWHM 2013 (in Giappone), e ESSDERC/ESSCIRC 2014 (a Venezia)

Ha contribuito diversi anni a due importanti conferenze della IEEE: IEEE International Electron Device Meeting (IEDM) e la IEEE International Reliability Physics Sumposium.

More details can be found here: http://www.meneghesso.it

Lista delle pubblicazioni maggiormente citate (al 30 Giugno 2013):

Reliability of GaN high-electron-mobility transistors: state of the art and perspectives
G Meneghesso et al.
Device and Materials Reliability, IEEE Trans. on 8 (2), 332-343, 2008
citato da 177

Surface-related drain current dispersion effects in AlGaN-GaN HEMTs
G Meneghesso et al.
Electron Devices, IEEE Trans. on 51 (10), 1554-1561, 2004
citato da 158

On-state and off-state breakdown in GaInAs/InP composite-channel HEMT's with variable GaInAs channel thickness
G Meneghesso et al.
Electron Devices, IEEE Trans. on 46 (1), 2-9, 1999
citato da 77

A review on the reliability of GaN-based LEDs
M Meneghini, LR Trevisanello, G Meneghesso, E Zanoni
Device and Materials Reliability, IEEE Trans. on 8 (2), 323-331, 2008
citato da 75

Analysis of a high-power-factor electronic ballast for high brightness light emitting diodes
G Spiazzi, S Buso, G Meneghesso
Power Electronics Specialists Conference, 2005. PESC'05. IEEE 36th, 1494-1499,2005
citato da 70

Current collapse and high-electric-field reliability of unpassivated GaN/AlGaN/GaN HEMTs
G Meneghesso, et al
Electron Devices, IEEE Trans. on 53 (12), 2932-2941, 2006
citato da 68

Accelerated life test of high brightness light emitting diodes
L Trevisanello, M Meneghini, G Mura, M Vanzi, M Pavesi, G Meneghesso, E Zanoni
Device and Materials Reliability, IEEE Trans. on 8 (2), 304-311, 2008
citato da 60

30-nm two-step recess gate InP-based InAlAs/InGaAs HEMTs
T Suemitsu, H Yokoyama, T Ishii, T Enoki, G Meneghesso, E Zanoni
Electron Devices, IEEE Trans. on 49 (10), 1694-1700, 2002
citato da 60

Influence of short-term low current dc aging on the electrical and optical properties of InGaN blue light-emitting diodes
F Rossi, M Pavesi, M Meneghini, G Salviati, M Manfredi, G Meneghesso, et al.
Journal of applied physics 99 (5), 053104-053104-7, 2006
citato da 59

Trapped charge modulation: a new cause of instability in AlGaAs/InGaAs pseudomorphic HEMT's
G Meneghesso et al.
Electron Device Letters, IEEE 17 (5), 232-234, 1996
citato da 58

A review on the physical mechanisms that limit the reliability of GaN-based LEDs
M Meneghini, A Tazzoli, G Mura, G Meneghesso, E Zanoni
Electron Devices, IEEE Trans. on 57 (1), 108-118, 2010
citato da 56

Investigation of high-electric-field degradation effects in AlGaN/GaN HEMTs
M Faqir, G Verzellesi, G Meneghesso, et al.
Electron Devices, IEEE Trans. on 55 (7), 1592-1602, 2008
citato da 55


Localized damage in AlGaN/GaN HEMTs induced by reverse-bias testing
E Zanoni, F Danesin, M Meneghini, A Cetronio, C Lanzieri, M Peroni, G Meneghesso
Electron Device Letters, IEEE 30 (5), 427-429 52 2009
citato da 52

Performance degradation of high-brightness light emitting diodes under DC and pulsed bias
S Buso, G Spiazzi, M Meneghini, G Meneghesso
Device and Materials Reliability, IEEE Trans. on 8 (2), 312-322, 2008
citato da 50

Systematic characterization of Cl< sub> 2 reactive ion etching for improved ohmics in AlGaN/GaN HEMTs
D Buttari, A Chini, G Meneghesso, et al.
Electron Device Letters, IEEE 23 (2), 76-78, 2002
citato da 49

Low-frequency noise sources in as-prepared and aged GaN-based light-emitting diodes
S Bychikhin, D Pogany, LKJ Vandamme, G Meneghesso, E Zanoni
Journal of applied physics 97 (12), 123714-123714-7, 2005
citato da 47

Evidence of interface trap creation by hot‐electrons in AlGaAs/GaAs ....
G Meneghesso, et al.
Applied physics letters 69 (10), 1411-1413, 1996
citato da 43

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